測(cè)試主機(jī)
GaN
Power Device
QT-8400 由測(cè)試主機(jī)與測(cè)試站 Test Kit 組成,
其中 Test Kit 分為兩種:Power Device Test Kit & GaN Test Kit。
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Power Device Test Kit
面向 MOSFET/SIC、二極管、三極管等 CP 測(cè)試需求的 Power Device Test Kit.
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GaN Test Kit
面向氮化鎵測(cè)試需求的 GaN Test Kit.
站坐快速切換
用戶體驗(yàn)
* 已申請(qǐng)專利
站坐快速切換
用戶體驗(yàn)
* 已申請(qǐng)專利
QT-8400 GaN |
QT-8400 D |
測(cè)試范圍專用于氮化鎵動(dòng)靜態(tài)電參數(shù)測(cè)試 |
測(cè)試范圍專用于 MOSFET/SIC 、二極管、三極管、IGBT等 CP測(cè)試。 |
參數(shù)指標(biāo)
懸浮 V/I 源 |
參數(shù)指標(biāo)
懸浮 V/I 源 |
并行測(cè)試數(shù)2/4/8/16 Site |
并行測(cè)試數(shù)2/4/8/16 Site |
可擴(kuò)展動(dòng)態(tài)模組
LCR測(cè)試模組(CG) |
可擴(kuò)展動(dòng)態(tài)模組
雪崩測(cè)試模組(UIS、EAS) |
可擴(kuò)展高壓/直流模組最高可擴(kuò)展8KV, 2KA |
可擴(kuò)展高壓/直流模組最高可擴(kuò)展8KV, 2KA |
精準(zhǔn)測(cè)量Power Device Test Kit內(nèi)置精密測(cè)量電路,實(shí)現(xiàn)nA級(jí)和mΩ級(jí)的精準(zhǔn)測(cè)量。 |
精準(zhǔn)測(cè)量GaN Test Kit內(nèi)置精密測(cè)量電路,實(shí)現(xiàn)nA級(jí)和mΩ級(jí)的精準(zhǔn)測(cè)量。 |
內(nèi)置示波器圖
AWG編輯器
專為測(cè)試&生產(chǎn)而設(shè)計(jì)
* 已申請(qǐng)專利